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由于碳析出量很大程度上取决于溶解的碳浓度和降温速率，局上局金属晶界处往往生成的石墨烯较厚，局上局因此生长的石墨烯以多层为主，层数不均匀且可控性较差。研究还发现，开新相比于经典的半导体热电材料，随着晶畴尺寸的减小，石墨烯的电导率和热导率均衰减地更快。第一步，努力使用尽量高的生长温度，努力低的甲烷气体分压进行生长，得到较低成核密度，然后提高第二步生长的甲烷气体分压，进而提高生长速度，得到大晶畴尺寸的石墨烯薄膜。

图8.双层石墨烯的制备方法Ruoff[5]等在氧预处理的铜箔信封外表面上成功获得晶畴尺寸达到500μm的80%AB堆垛双层石墨烯晶畴，服展格o走前并深入分析了AB堆垛石墨烯生长机制。融入4.2大单晶石墨烯的制备石墨烯中的晶畴与晶界分布是影响其性质的关键因素之一。

刘忠范和彭海琳课题组[3]将新鲜的铜箔置于已经满层覆盖铜箔的石墨烯上游，局上局利用新鲜的铜箔持续催化裂解碳源，局上局提供额外的碳源供给用于下游的第二层石墨烯的生长，进而获得了高覆盖率的双层石墨烯。

本综述主要介绍了碳材料的成键和制备历史，开新CVD法制备石墨烯的热力学过程与生长动力学机制，开新讨论了生长条件对石墨烯畴区尺寸、形貌、缺陷、生长速度、层数和质量的影响，并对高质量石墨烯材料的制备方法进行总结，展望了未来制备高质量石墨烯薄膜的研究。此外，努力MicroLED的体积约为目前主流LED大小的1%，努力且应用范围非常广阔，可应用小至手环和手表等可穿戴设备，大至商用广告牌和公共显示屏，甚至VR或者VR设备等的，并且表现比传统的液晶面板甚至OLED都更好一些。

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MicroLED是一种自发光显示技术，局上局采用微米（μm）级、比头发还细的超小型LED元器件，无需背光或滤色片即可实现发光以及着色。此外，开新MicroLED中使用的RGB器件是无机材料，因此没有老化和烧屏问题，并且可以带来10万小时以上的稳定高亮度和画质